RJP30H1DPD

100.00 ₽

RJP30H1DPD

IGBT

Структура: N-channel

Маркировка: RJP30H1

Производитель – Renesas

22 в наличии

Описание
Мета информация

RJP30H1DPD
IGBT
Структура: N-channel
Маркировка: RJP30H1
Производитель – Renesas

Рабочий ток: 30 A
Пиковый ток: 200 A
Напряжение насыщения коллектора к эмиттеру: 1.5 V
Максимальное напряжение: 360 V
Время открытия: 80 ns
Время закрытия: 150 ns
Рассеиваемая мощность: 45 W
Тип корпуса: TO-252

Datasheet RJP30H1

If you found an error, highlight it and press Shift + Enter or Замечание to inform us.